L’Anglais Cambridge GaN Devices (CGD) a collaboré avec l’IFP Energies Nouvelles (IFPEN) français pour mettre au point un montage d’onduleur 800V autour de ses  transistors en nitrure de gallium 650V ICeGaN. Les partenaires assurent atteindre une densité de puissance de 30kW/l, « supérieure à celle obtenue avec des composants plus coûteux à base de carbure de silicium (SiC) ». Chaque nœud de l’onduleur comprend trois transistors 650V/25mΩ – soit 36 composants en parallèle au total. Pensé pour les véhicules électriques qui utilisent de plus en plus un bus 800V, cet onduleur peut alimenter des moteurs électriques triphasés jusqu’à une puissance de 75kW en continu et 100kW en crête.