20 microns : telle est l’épaisseur de la tranche de silicium pour composants de puissance qui vient de sortir d’une des lignes de production en volume d’Infineon. Il s’agit selon l’Allemand d’un record pour une tranche de silicium de 300mm de diamètre, où l’état de l’art se situe plutôt entre 40 et 60µm. En réduisant de moitié l’épaisseur de ces substrats, Infineon assure pouvoir en diminuer la résistance de 50% et les pertes de puissance de 15%.

Pour obtenir des tranches aussi fines, Infineon a eu recours à une technique innovante d’amincissement et a dû adapter ses méthodes de traitement et de manipulation concernant la face arrière des plaquettes. Ces substrats ont été qualifiés pour la production de composants de conversion DC-DC, attendue dans les trois ou quatre ans à venir.