Dix nouvelles diodes Schottky en carbure de silicium 1200V sont venues agrémenter le catalogue de Toshiba. Ces nouveaux modèles TRSxxx120Hx se distinguent par une tension directe de seulement 1,27V. Ils tirent profit d’une structure améliorée de la barrière de jonction pour conjuguer un courant direct élevé (40A en continu et 270A en pointe pour le TRS40N120H) et de faibles pertes d’énergie (charge capacitive totale de 109nC et courant inverse de 2µA pour le TRS20H120H). Toutes ces diodes sont disponibles en boîtiers traversant à deux ou trois broches.