STMicroelectronics en est déjà à sa quatrième génération de circuits en carbure de silicium, avec des composants qui vont monter en volume en 2025. Il s’agit notamment de transistors Mosfet 750V et 1200V, visant par exemple les bus de tension 400V et 800V des véhicules électriques, mais aussi l’industriel, les énergies renouvelables ou encore les centres de données. A performance égale, ST assure que ses puces de quatrième génération seront 12 à 15% plus compactes que celles de troisième génération.

A l’horizon 2027 figure également chez ST une cinquième génération de puces SiC. Le fabricant franco-italien promet à la fois une technologie à structure planaire offrant une grande densité de puissance, et « une innovation radicale réduisant fortement la résistance à l’état passant, notamment à température élevée ». Rappelons que ST démarrera en 2026 la production de puces SiC dans sa nouvelle usine de Catane.