SK hynix a développé une mémoire Dram DDR5 de 16Gbits en nœud 1c, qui correspond à la sixième génération de process 10nm. Le Sud-Coréen s’estime en avance de phase par rapport à la concurrence, et s’attend à une production en volume démarrant à la fin de l’année.
La génération 1c reprend la plateforme de la 1b en lui apportant diverses améliorations, notamment un changement de matériau dans le cadre de la lithographie EUV (ultraviolets extrêmes) et des innovations de conception améliorant la productivité. Résultat : les mémoires DDR5 1c devraient gagner 11% en vitesse et 9% en rendement énergétique. Leur première cible réside dans les centres de données.
