Avec sa huitième génération de doubles transistors Mosfet MXT LV à basse tension, Magnachip Semiconductor inaugure une nouvelle technologie propriétaire baptisée SSCFET II (Super-Short Channel FET II). Cette architecture réduit la longueur du canal de conduction, et donc la résistance entre les sources des deux transistors Mosfet. Inférieure de 22% à la génération précédente, cette faible résistance permet de diminuer les pertes d’un smartphone en charge jusqu’à abaisser sa température de 12%.
Premier membre de cette famille, le double Mosfet 12V MDWC12D024PERH présente une résistance Rss typique de 1,95mΩ sous une tension Vgs de 3,8V. Il est encapsulé dans un boîtier WLCSP.