Nexperia va injecter 200M$ dans son site de Hambourg en Allemagne pour développer sa nouvelle génération de puces à large bande interdite (WBG) telles que le SiC et le GaN. Ainsi, les trois technologies majeures des composants de puissance (SiC, GaN et silicium) seront développées et produites en Allemagne à partir de ce mois de juin.
En parallèle, Nexperia va augmenter sa capacité de production concernant les diodes et les transistors en silicium.

« A l’avenir, notre usine de Hambourg couvrira la gamme complète des semi-conducteurs WBG tout en restant la plus grande usine de diodes et de transistors à petits signaux. Nous restons fidèles à notre stratégie qui consiste à produire des semi-conducteurs de haute qualité et rentables pour les applications standard et les applications à forte consommation d’énergie, tout en relevant l’un des plus grands défis de notre génération : répondre à la demande croissante d’énergie tout en réduisant l’empreinte écologique », a déclaré Achim Kempe, COO et directeur général de Nexperia Allemagne.