Pionnier du secteur, Samsung en est déjà à sa neuvième génération de mémoires flash V-Nand à empilement vertical. Ces derniers modèles viennent d’entrer en production de volume, avec une densité augmentée de 50% par rapport à la génération précédente. Ils embarquent 1Tbit de cellules TLC (trois bits par cellule, mais des versions QLC à quatre bits par cellule suivront au second semestre) et se destinent d’abord au marché des disques durs SSD.

Samsung assure avoir réduit les interférences entre cellules et améliorer leur durée de vie, tout en facilitant le percement simultané d’un grand nombre de couches. La neuvième génération de V-Nand profite également de l’interface Toggle 5.1, qui gère jusqu’à 3,2Gbit/s et convient donc aux applications PCIe 5.0. Enfin, la consommation d’énergie aurait été réduite de 10%.