Logiquement baptisée HBME3E 12H, la dernière mémoire à très haut débit de Samsung n’empile pas moins de douze couches de Dram, un record dans l’industrie selon le Sud-Coréen. Elle atteint ainsi une capacité de 36Go et un débit de données de 1280Go/s, bien au-delà des modèles actuels limités à huit couches. De quoi mieux répondre aux besoins des serveurs de données et des calculateurs IA. Cette mémoire est en cours d’échantillonnage, et sera produite en volume d’ici l’été.

En passant de huit à douze couches, Samsung a réussi à maintenir une épaisseur constante grâce à l’usage de films non conducteurs à compression thermique (TC NCF), réduisant à 7µm l’écart entre puces. Autre avantage de ces films : ils permettent de faire varier les billes de connexion entre puces (des petites pour les signaux, des plus grosses pour l’alimentation) et ainsi d’optimiser la dissipation thermique et le rendement en production.