Lors de la conférence ISSCC qui vient de s’achever à San Francisco, Renesas Electronics a présenté une mémoire STT-Mram (spin-transfer torque magnetoresistive random-access memory) combinant un accès en lecture aléatoire à plus de 200MHz et un débit d’écriture de 10,4Mbit/s. Adaptée aux microcontrôleurs haut de gamme, cette mémoire de 10,8Mbits a été fabriquée dans un process 22nm.

Pour obtenir un temps d’accès en lecture aléatoire de seulement 4,2ns, un record dans l’industrie selon Renesas, le Japonais a procédé à l’alignement du courant de référence en fonction de la distribution de courant à travers les cellules de mémoire de chaque puce durant la phase de test, réduit le décalage de l’amplificateur de mesure et ajouté une connexion en cascode servant à limiter la capacitance parasite. L’accélération de l’écriture provient, elle, d’une tension d’écriture optimisée.