La prochaine mouture des mémoires graphiques GDDR, la GDDR7, figure en bonne place parmi les avancées présentées lors de la conférence ISSCC qui se déroule actuellement à San Francisco. Attendue pour cette année avec un déploiement progressif l’an prochain, cette mémoire à l’étude chez Samsung, SK hynix et Micron devrait permettre de gagner non seulement en débit de données, mais aussi en consommation grâce à l’adoption d’une modulation multiniveau PAM3 en lieu et place de la traditionnelle signalisation NRZ. Lors de sa présentation, SK hynix a décrit une GDDR7 de 16 Gbits délivrant 35,4Gbit/s par broche sous 1,2V. « Avec les blocs PAM3 qui délivrent une bande passante doublée, la puissance dégagée et donc la température sont inévitablement augmentées », explique SK hynix. D’où l’utilisation d’une architecture de synchronisation pouvant être partiellement désactivée afin de rabaisser le courant de veille active – qui représente près de la moitié du budget thermique de la puce – au niveau du courant de sommeil. SK hynix assure que le temps de réveil a été divisé par six, conduisant à une mémoire GDDR7 dont le rendement est supérieur de 47% à celui d’une GDDR6 à débit égal.

De son côté, Samsung a poussé la vélocité de sa mémoire GDDR7 jusqu’à 37Gbit/s/broche sous 1,2 V, légèrement au-delà de celle d’hynix donc. Difficile de comparer frontalement les deux travaux en raison notamment de process de fabrication différents : Samsung emploie ici sa technologie 1z, correspondant à la troisième génération de process en classe 10nm et qu’il exploite déjà pour ses GDDR6, tandis que SK hynix utilise un process de quatrième génération (1a). En sus de la distribution d’horloge, Samsung a particulièrement travaillé les blocs d’égalisation de signaux en réception et le contrôle de gain adaptatif en émission. Sa GDDR7 peut même turbiner à 34Gbit/s sous 1,1V seulement.