Qorvo inaugure sa quatrième génération de transistors en carbure de silicium (SiC) avec l’UJ4SC075009B7S, un Fet 750V qui se distingue par une résistance à l’état passant de seulement 9mΩ. L’Américain va rapidement étoffer cette gamme avec des modèles compatibles broche à broche, mais grimpant jusqu’à 60mΩ. Ces composants visent principalement les véhicules électriques, et complètent l’offre de Qorvo qui propose déjà des transistors Fet SiC 1200V et 1700V. Ils sont encapsulés dans un boîtier compact D2PAK-7L.

Conforme AEC-Q101, l’UJ4SC075009B7S se présente en configuration cascode, assorti d’un Mosfet en silicium afin d’être plus simple à commander. Ses performances incluent une tension de seuil de 4,5V, une température maximale de fonctionnement de 175°C, une charge de recouvrement inverse de 338nC et une charge de grille de 75nC.