D’après une étude de J.D. Power, près de la moitié des consommateurs américains ne passeraient pas aux véhicules électriques parce qu’ils craignent de ne pas pouvoir recharger leur voiture aussi facilement et rapidement qu’avec un moteur thermique. La pression est donc forte sur les concepteurs de bornes de recharge, lesquelles devraient quadrupler d’ici 2025 pour répondre à la demande. Soucieux de faciliter leur travail, onsemi a étendu son catalogue de modules de puissance (PIM) à transistors en carbure de silicium, convenant notamment aux chargeurs DC rapides et bidirectionnels.

Les nouveaux modèles de boîtiers PIM EliteSiC de l’Américain exploitent ses Mosfet SiC M3S de troisième génération dans plusieurs topologies (demi-pont, pont complet, TNPC) et puissances (25 à 100kW). Pour chaque module, onsemi utilise des transistors provenant de la même tranche afin d’harmoniser leurs comportements. Il fournit également des modèles de simulation de montage électrique, utilisables par exemple dans son logiciel Elite Power Simulator.