SK hynix a développé une mémoire large bande HBM3E, appelée à succéder aux actuelles HBM3 dans les systèmes informatiques les plus exigeants, par exemple pour le traitement de l’intelligence artificielle. Des échantillons ont déjà à l’étude chez l’un des clients du Sud-Coréen, et la production en volume est prévue pour le premier semestre 2024.

La cinquième génération de mémoires HBM peut traiter jusqu’à 1,15To de données par seconde. La dissipation de chaleur a en outre été améliorée de 10% grâce à l’emploi d’une technologie MR-MUF (mass reflow molded underfill) avancée, qui consiste à remplir les espaces entre puces au moyen d’un matériau liquide et non d’un film fin.