Le Sud-Coréen Magnachip Semiconductor a profité de l’été pour étendre sa famille MXT LV de transistors Mosfet de septième génération avec des modèles destinés à la protection de batterie dans les appareils portables. Ces quatre circuits bénéficient de la technologie super-short channel du fabricant, qui limite la résistance à l’état passant (ici de 24 à 40%) en raccourcissant la longueur du canal entre la source et le drain.

Les MDWC12D028ERH et MDWC12D044E affichent une tension V_DS de 12V et une résistance de 2,8 et 4,4mΩ, respectivement. Lui aussi encapsulé en boîtier WLCSP, le MDWC22D020E grimpe à 22V avec une résistance de 2mΩ. Enfin, les modèles 24V MDW24D048E et MDW24D150E sont, eux, disponibles sous forme de puces nues et sont caractérisés par une résistance de 4,8 et 15mΩ.