Cambridge GaN Devices (CGD) conçoit, développe et commercialise des transistors GaN (nitrure de gallium) et des circuits intégrés depuis sa création en 2016. Il s’agit d’une entreprise sans usine externalisée par l’Université de Cambridge dont sont issus ses fondateurs, la CEO Giorgia Longobardi et le CTO Florin Udrea.

La société verra sa gamme de dispositifs d’alimentation à base de « GaN économes en énergie » distribuée par DigiKey à l’échelle mondiale. Parmi ces produits, CGD mentionne sa famille de transistors HEMT 650V en nitrure de gallium ICeGaN H2, dont « les nouvelles versions réduisent la complexité de la conception […]. En termes d’efficacité et par rapport aux composants en silicium, les HEMT ICeGaN limitent considérablement les pertes de commutation, permettant des valeurs d’efficacité de pointe qui se traduisent par des réductions de la taille, du poids et du coût du système. Les HEMT ICeGaN de la série H2 répondent également aux problèmes de fiabilité et de robustesse en utilisant l’interface intelligente de CGD qui élimine les faiblesses typiques du GaN. Les appareils présentent une robustesse améliorée contre les surtensions, un seuil d’immunité au bruit plus élevé, et une protection ESD (electrostatic discharge) ».