Récemment converti aux bienfaits du carbure de silicium, Diodes ajoute à son offre un transistor Mosfet SiC 1200V encapsulé dans un boîtier TO247-4, inédit sur le marché d’après l’Américain. Référencé DMWS120H100SM4, ce transistor à canal N est caractérisé par un courant de drain maximal de 37A, une résistance à l’état passant typique de 80mΩ et une charge de grille de 52nC. Diodes le destine aux moteurs industriels, aux convertisseurs photovoltaïques, aux convertisseurs DC-DC, aux alimentations de centres de données et d’équipements télécoms et aux chargeurs de batterie pour véhicules électriques. Le DMWS120H100SM4 est vendu 21,5$ pièce par lots de 20.