Toshiba vient d’ajouter à son catalogue deux transistors de puissance Mosfet 40V à canal N « qui auront un réel impact sur la prochaine génération de véhicules », dixit le Japonais. Les XPQR3004PB (400A) et XPQ1R004PB (200A) bénéficient en effet d’un boîtier innovant dit L-TOGL (large transistor outline gull-wing leads), dans lequel la connexion entre la source et les broches de sortie s’effectue non pas au moyen de soudures, mais d’une broche en cuivre. Cette épaisse couche de cuivre réduit l’impédance thermique entre la jonction et le boîtier de manière significative, jusqu’à atteindre 0,2°C/W pour le XPQR3004PB et 0,65°C/W pour le XPQ1R004PB.

En outre, la structure multibroche au niveau de la source minimise la résistance du boîtier et les pertes associées d’environ 70% par rapport à un boîtier TO-220SM classique, d’où un gain de 60% pour le courant de drain du XPQR3004PB par exemple. Conformes AEC-Q101, ces circuits supportent des températures allant jusqu’à 175°C. Leurs connexions en « aile de mouette » réduisent le stress mécanique tout en simplifiant l’inspection visuelle.