Alliance Memory procède à une extension de sa gamme de mémoires Sram à faible consommation avec des modèles 1 et 4Mbits dotés d’une fonction de correction d’erreurs ECC. Par rapport à la génération précédente, les AS6CE1016A (1Mbits) et AS6CE4016B (4Mbits) disposent d’une plus grande fiabilité en termes de FIT (failure in time), MTTF (mean time to failure) et SER (soft error rates).

Fonctionnant sous 2,7 à 3,6V, ces mémoires Sram présentent une mémoire de rétention de données de 1,5V et un courant de rétention typique de 1µA pour les versions 1Mbits et 2µA pour les 4Mbits. Leur temps d’accès est de 45ns.