Samsung a développé une mémoire Dram DDR5 de 16Gbits dans un process 12nm – une première dans l’industrie selon le Sud-Coréen. Sa production en volume devrait démarrer cette année, et les tests de compatibilité avec les processeurs à cœurs Zen d’AMD ont déjà été effectués. Pour cette technologie, Samsung utilise un nouveau matériau à constante diélectrique k élevée qui augmente la capacitance des cellules de mémoire, différentes astuces de conception et la lithographie EUV sur plusieurs couches pour obtenir au final un gain de densité de 20%. Ces mémoires DDR5 en 12nm devraient atteindre des vitesses de l’ordre de 7,2Gbit/s, avec un rendement énergétique supérieur de 23% à celui des précédentes Dram.