Le Japonais Renesas Electronics va mettre à contribution son usine de semi-conducteurs de puissance de Naka pour démarrer début 2023 la fabrication d’une nouvelle génération de transistors IGBT en silicium sur des tranches de 200 et 300mm. L’usine de Kofu, fermée depuis 2014 mais actuellement remise au goût du jour par Renesas, sera également mobilisée à partir de 2024.

Baptisés AE5, ces transistors IGBT sont essentiellement destinés aux véhicules électriques. Renesas vise une réduction des pertes et de l’encombrement d’environ 10% par rapport aux circuits AE4 actuels. Les premiers modèles visent les redresseurs 400V (transistors 750V soutenant 220 à 300A) et 800V (transistors 1200V/150 à 200A). La dépendance en température de la résistance de grille des IGBT AE5 serait réduite de moitié, et leur tension de saturation V_CE limitée à 1,3V. Le premier modèle (750V/300A) est disponible sous forme d’échantillons.