Innoscience, fabricant de dispositifs GaN-on-Si sur tranches de 200mm, ouvre un centre de R&D à Louvain en Belgique. Cette activité de recherche, axée sur les composants de puissance GaN, devrait « jouer un rôle important dans l’amélioration de la technologie et des produits GaN d’Innoscience, tant en termes de performance que de fiabilité, afin d’aider l’entreprise à rester à la pointe de l’innovation technologique en matière de GaN », précise le communiqué de l’entreprise.

Installé dans la « GaN Valley » belge, ce centre de R&D sera dirigé par Jan Šonský, qui possède 20 ans d’expérience en recherche dans les semi-conducteurs.
« Nous souhaitons la bienvenue à Jan chez Innoscience, et nous sommes impatients de bénéficier de ce qu’il réalisera avec son équipe. Nos dispositifs offrent déjà d’excellentes performances, tant en basse tension (30V à 150V) qu’en haute tension (650V). Nous attendons de notre nouveau centre de R&D qu’il nous permette d’atteindre des performances encore meilleures, de réduire la taille des dispositifs, et d’en renforcer la fiabilité », a commenté Denis Marcon, D.G. d’Innoscience Europe.