Annoncée il y a tout juste sept mois, la mémoire Dram HBM3 de SK hynix vient déjà d’entrer en production de volume. Quatrième génération de mémoires Dram à large bande passante (après les HBM, HBM2 et HBM2E), ces mémoires seront notamment associées aux processeurs Tensor H100 de Nvidia dans des produits commercialisés au troisième trimestre. Les HBM3 offrent une bande passante culminant à 819Go/s.
Dans la même rubrique
Le 08/11/2024 à 10:20 par Frédéric Rémond
SK hynix case 48 Go dans une seule mémoire HBM3E
Dans le cadre du SK AI Summit 2024 qui vient de s'achever à Seoul, SK hynix a annoncé le développement…
Le 07/11/2024 à 8:25 par Arnaud Pavlik
Farnell et Flexxon optimisent la distribution de solutions industrielles de stockage de données
Farnell a annoncé un nouveau partenariat avec Flexxon, un spécialiste des mémoires flash Nand et de la sécurité informatique. A…
Le 05/11/2024 à 7:41 par Christelle Erémian
Sanjay Mehrotra, CEO de Micron, prend la tête du conseil d’administration de l’entreprise
Robert Switz, l’actuel président du conseil d’administration de Micron Technology, prendra sa retraite à l’issue de l’assemblée générale annuelle des…
Le 31/10/2024 à 8:36 par Frédéric Rémond
Les mémoires flash UFS gagnent en densité
Kioxia a démarré la production en série de mémoires flash QLC (quatre bits par cellule) de 512Go au format UFS…