Cette première mondiale ouvre la voie à des circuits à transistors 3D non limités au seul silicium.

L’Imec vient de fabriquer des circuits monolithiques à transistors FinFET utilisant des matériaux III-V sur des tranches silicium de 300 mm, une première selon le centre belge de recherche en microélectronique. L’Imec a utilisé pour cela des crètes de transistors tridimensionnels en InGaAs et InP, en employant des techniques avancées de correction de défauts de cristaux, de structure en tranchées et d’épitaxie. Rappelons que parmi les partenaires d’Imec figurent notamment Intel, Samsung et TSMC.