onsemi met à profit le salon PCIM, qui se déroule actuellement à Nuremberg, pour présenter le premier transistor Mosfet 650V en carbure de silicium (SiC) serti dans un boîtier TO sans broches (TO-Leadless ou TOLL) au lieu des boîtiers traditionnels comme le D2PAK-7. Mesurant 9,9×11,68mm, le boîtier TOLL économise 30% d’encombrement sur le circuit imprimé, et son volume est inférieur de 60% à celui d’un D2PAK grâce à son épaisseur réduite à 2,3mm.

En outre, onsemi assure que le boîtier TOLL présente de meilleures performances thermiques, ainsi qu’une inductance de boîtier limitée à 2nH. L’Américain vante également une réduction de 60% des pertes à l’allumage grâce à l’adoption d’une configuration Kelvin.

Référencé NTBL045N065SC1, le transistor SiC 650V présente une résistance à l’état passant de 33mΩ, un courant de drain maximum de 73A et une charge de grille de 105nC. Il convient aux alimentations à découpage, aux redresseurs photovoltaïques ou encore au stockage d’énergie.