Les chercheurs du CEA-Leti ont réalisé des cellules de mémoire résistive Reram de 15x300nm² dans lesquelles l’oxyde métallique classique a été remplacé par un isolant de Mott. Ceci a permis de diviser par dix la variabilité des cellules, et donc de les envisager pour des applications comme le stockage de données. Rappelons que les isolants de Mott sont des métaux conducteurs capables de se muer en isolants lors d’une transition sans déplacement d’atomes ni changement de structure cristalline – deux phénomènes à l’origine de la variabilité.

Pour l’heure, le matériau de Mott utilisé par le CEA-Leti en collaboration avec le LTM et le CNRS « reste délicat à synthétiser et à déposer ; les travaux se poursuivent pour progresser sur ces deux axes ».