Simplifier et miniaturiser la commande de transistors IGBT et Mosfet SiC : tel est l’objectif de STMicroelectronics avec les STGAP2HD et STGAP2SICD, deux circuits de commande de grille à deux canaux et à isolation galvanique (jusqu’à 6000V). Sertis en boîtiers SO-36W, ces circuits sont immunisés contre les signaux transitoires jusqu’à +/-100V/ns. Ils fournissent un maximum de 4A via leurs deux sorties qui facilitent l’ajustement des temps d’activation et de coupure.

Les STGAP2HD (pour transistors IGBT) et STGAP2SICD (pour Mosfet SiC) supportent jusqu’à 1200V et présentent un délai de propagation de 75ns. Leurs entrées s’avèrent compatibles avec les niveaux logiques TTL et Cmos à partir de 3,3V. Ils sont vendus 1,84$ pièce par quantités de 1000.