Magnachip Semiconductor échantillonne onze transistors Mosfet 600V bénéficiant d’un nouveau process de fabrication. Ces Mosfet SJ affichent en conséquence un meilleur rendement associé à des pertes réduites en commutation. Une diode Zener est intégrée entre la grille et la source pour renforcer le composant contre les décharges électrostatiques.

Selon les modèles, ces composants présentent une résistance à l’état passant variant de 190 à 580mΩ et sont encapsulés en boîtier DPAK, TO-220F ou TO-220SF. Ils visent des applications allant des téléviseurs à l’éclairage en passant par les chargeurs rapides et les alimentations pour PC et équipements industriels. Le Sud-Coréen a livré plus de deux milliards de Mosfet SJ depuis leur lancement en 2013.