Dans la prochaine édition de Nature figure un article signé Samsung et portant sur un traitement numérique effectué au sein d’une mémoire magnétorésistive Mram. De nombreux travaux portent actuellement sur l’exécution de calculs au sein même de cellules de mémoire afin d’en accélérer le traitement, par exemple pour des algorithmes d’intelligence artificielle ; mais c’est sans doute la première fois qu’une technologie de ce type est développée pour une mémoire Mram.
Pour contourner la difficulté provenant de la faible résistance des cellules Mram, les chercheurs ont opté pour une architecture à somme de résistances et non pas à somme de courants comme c’est généralement le cas pour le calcul en mémoire. Le circuit prototype présente une précision de 98% en classification de nombres manuscrits et de 93% en détection de visages. L’intérêt de ces travaux réside dans l’utilisation de la Mram, une mémoire déjà éprouvée au niveau industriel, et non pas de mémoires plus exotiques (comme les mémoires résistives Rram ou à changement de phase Pram) souvent utilisées pour le calcul en mémoire. « En outre, ce type d’architecture pourrait à l’avenir convenir à un traitement neuromorphique des données imitant le fonctionnement des synapses » ajoute Seungchul Jung, l’auteur principal de l’article.
