Microchip Technology étend de manière significative son catalogue de composants de puissance en nitrure de gallium (GaN) en lançant des circuits micro-ondes (MMIC) fonctionnant entre 2 et 20GHz pour une puissance de sortie culminant à 20W et un rendement atteignant 25%. L’Américain présente également des amplificateurs en bande S et X offrant un rendement de puissance ajoutée (PAE) de 60%, et des transistors Hemt délivrant jusqu’à 100W avec un rendement maximal de 70% jusqu’à 14GHz.

Tous ces circuits tirent profit de la technologie GaN sur SiC (carbure de silicium) de Microchip. « Ils apportent le rendement et la linéarité requis par les modulations des infrastructures 5G et des autres réseaux sans fil, et par les besoins uniques des communications satellites et des systèmes militaires » estime Leon Gross, responsable des composants discrets chez Microchip.