ST et l’Institut de Microélectronique (IME) rattaché à l’agence singapourienne pour la science, la technologie et la recherche (A*STAR) ont annoncé une collaboration en R&D dans le domaine du carbure de silicium (SiC) pour les applications d’électronique de puissance destinées à l’automobile et à l’industrie.

Cette collaboration a pour but de développer l’écosystème SiC à Singapour. De là pourront naître des opportunités pour différentes entreprises souhaitant se lancer dans la recherche sur le SiC avec ST et l’IME.

Selon le communiqué, les deux entités « ont pour objectif de développer et d’optimiser des composants intégrés en SiC et des modules de puissance afin d’accroître de manière significative les performances des circuits d’électronique de puissance de nouvelle génération ».

« Cette nouvelle collaboration avec l’IME favorise la croissance d’un écosystème autour du carbure de silicium à Singapour, une région où nos activités de fabrication montent en puissance, en plus de celles de Catane (Sicile). Cette collaboration pluriannuelle nous permettra d’intensifier les activités de R&D à travers le monde dans nos programmes existants menés depuis Catane et Norrköping (Suède) qui couvrent l’ensemble de la chaîne de valeur du SiC », a déclaré Edoardo Merli, directeur général de la macro-division transistors de puissance et vice-président du groupe produits automobiles et discrets de STMicroelectronics.