« Avec ces deux circuits de protection contre les décharges électrostatiques pour liaisons USB4, les concepteurs peuvent choisir de privilégier le niveau de sûreté fonctionnelle ou les performances » estime Stefan Seider, responsable de ces composants chez Nexperia, à l’occasion du lancement des PESD5V0R1BDSF et PESD5V0R1BCSF. Axé protection, le premier nommé présente une perte d’insertion de 0,28dB et une perte en retour de 19dB à 10GHz. Optimisé pour les performances RF, le second affiche, lui, des pertes d’insertion et de retour de 0,25dB et 19,4dB, toujours à 10GHz.

Ces deux diodes de protection ESD bidirectionnelle exploitent la technologie TrEOS du Néerlandais et supportent des débits de données USB4 jusqu’à 2x20Gbit/s. Elles sont encapsulées dans un boîtier DSN0603-2 de 0,6×0,3×0,3mm.