Les deux partenaires préparent leur seconde génération de circuits de puissance en nitrure de gallium, des composants 650V HEMT qui bénéficieront d’une fabrication sur tranches de 200mm.

Infineon et Panasonic poursuivent leur collaboration en circuits de puissance sur substrat nitrure de gallium (GaN). Les deux sociétés développent une deuxième génération de composants GaN, des transistors 650V HEMT attendus pour le premier semestre 2023. La production de ces circuits passera sur des tranches de 200mm de diamètre, ce qui devrait abaisser leur coût unitaire. La première génération de composants en nitrure de gallium est actuellement commercialisée sous les marques CoolGaN d’Infineon et X-GaN de Panasonic.