Référencé EPC2016, le dernier membre de la famille eGaN du californien EPC est crédité d’une résistance à l’état passant de 16 mOhms seulement.

L’américain EPC (Efficient Power Conversion) complète son catalogue de transistors de puissance en nitrure de gallium avec un modèle de 100 V dont le courant maximal de drain est de 11 A à 25°C.

Référencé EPC2016, ce nouveau membre de la famille eGaN est crédité d’une résistance à l’état passant de seulement 16 mOhms pour une tension de grille de 5 V. Comparé à un Mosfet de puissance silicium  à l’état de l’art dont la résistance statique est similaire, le transistor d’EPC affiche une empreinte moindre (format LGA de 2,1×1,6 mm), une charge de grille très faible (typiquement 3,8 nC) et des performances en commutation bien supérieures.

Ce composant trouvera son juste emploi dans les alimentations à découpage fonctionnant à fréquence élevée, les convertisseurs de point de charge, les amplificateurs audio en classe D…

Par quantité de 1000 pièces, le prix unitaire de l’EPC2016 est de 1,61 $. Il est disponible auprès de Digi-Key.

La société propose également une carte de développement, estampillée EPC9010, exploitant des EPC2016 associés, dans une configuration en demi pont, au pilote de grille LM5113 de Texas Instruments.