Le sud-coréen entame la production en volume de mémoires flash Nand tridimensionnelles, plus fiables et plus rapides que les flash planaires habituelles.

Samsung vient de démarrer la production en volume de mémoires flash Nand 3D, offrant une capacité de 128 Gbits par puce. Ces mémoires dites V-Nand seront notamment utilisées dans des disques durs SSD. Elles sont fabriquées dans une technologie 20 nm propriétaire.

Samsung utilise à la fois une technique consistant à empiler verticalement jusqu’à 24 couches de cellules mémoires et l’architecture de cellule CTF (Charge Trap Flash) développée depuis 2006 et permettant de stocker la charge dans une couche non-conductive en nitride de silicium (SiN) au lieu d’une grille flottante. Ces mémoires devraient être deux à dix fois plus fiables que les Nand classiques, avec une vitesse d’écriture doublée par rapport aux flash Nand 10 nm conventionnelles.

Des disques durs SSD de 480 Go et 960 Go utilisant ces mémoires flash 3D viennent déjà d’entrer en production.