Le Mosfet 150 V offre une résistance à l’état passant de 18 mOhms

Le 23/04/2013 à 16:06 par Philippe Dumoulin

Le dernier Mosfet en tranchée de Vishay Siliconix contribue à abaisser les pertes en conduction dans les convertisseurs de tension. Vishay Siliconix complète son catalogue de Mosfet de puissance avec un modèle de 150 V en boîtier PowerPAK SO-8.
Référencé SiR872ADP, ce nouveau membre de la famille ThunderFET offre une résistance à l’état passant de 18 et 23 mOhms, pour une tension grille-source de 10 V et 7,5 V, respectivement.
A ces tensions, la charge de grille reste typiquement limitée à 31 et 22,8 nC.

Ce Mosfet canal N est optimisé pour les fonctions de commutation côté primaire et de redressement synchrone côté secondaire, opérées dans les convertisseurs de tension DC-DC et AC-DC mis en œuvre dans les micro-onduleurs solaires, les applications télécoms et les moteurs sans balais.
Dans ces systèmes, le nouveau venu offre une résistance de 45 % inférieure à celle des produits de précédente génération de l’américain, contribuant ainsi à abaisser les pertes en régime de conduction.

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