ISiCPEAW se tiendra à Stockholm, du 9 au 11 juin 2013.
Organisé par Yole Développement, le SiC Power Center et le réseau européen des entreprises, le congrès International SiC Power Electronics Applications Workshop (ISiCPEAW), se déroulera du 9 au 11 juin prochain, à Stockholm (Suède).
Cette manifestation est dédiée au carbure de silicium (SiC). Y participeront des fondeurs comme Cree, des fabricants de composants SiC tels Infineon, Mitsubishi et Rhom.
Y seront présentés des développements technologiques, des études de marchés et des applications.
Deux types de composants de puissance en carbure de silicium sont aujourd’hui proposés sur le marché: des diodes et des transistors.
Quant aux domaines demandeurs de semi-conducteurs en carbure de silicium, ils sont multiples: trains, éoliennes, contrôle moteur… En effet, la technologie SiC permet de réaliser des composants pour les applications à haute et très haute tension (entre 1700 V et 10 000 V).
Yole prévoit que le marché des composants de puissance en SiC dépassera 600 M$ en 2020. Ce marché progresserait de 30% par an en moyenne entre 2015 et 2020, selon la société d’études.
L’édition 2012 d’ISiCPEAW a accueilli 200 auditeurs.
Pour s’enregistrer à ISiCPEAW 2013, visiter: http://www.b2match.eu/isicpeaw2013. Les personnes qui désirent exposer peuvent contacter Sandrine Leroy (leroy@yole.fr).
