Un Mosfet en carbure de silicium taillé pour les hautes températures

Le 05/03/2013 à 18:57 par Philippe Dumoulin

Réalisé selon une technologie SiC, le dernier Mosfet de Cissoid est un modèle de 1200 V/10 A spécifié jusqu’à une température de 225 °C. Cissoid, le spécialiste belge des semi-conducteurs pour applications haute température, introduit un Mosfet en carbure de silicium destiné à la commande de moteur et à la conversion d’énergie.
Proposé dans un boîtier métallique TO-257 hermétique, ce transistor baptisé CHT-Neptune est spécifié dans la gamme de température -55 °C à 225 °C.
Il affiche une résistance thermique jonction-boîtier de 1,1 °C/W.
Sa tension de claquage est de 1200 V, alors que la valeur du courant commuté est de 10 A à la température de jonction maximale.
La diode intégrée peut faire office de diode de roue libre.

Le Mosfet sera piloté par une tension de grille typiquement comprise entre -2 V et +20 V. Sa résistance à l’état passant est de 90 mOhms à 25 °C et de 150 mOhms à 225 °C (avec un VGS de 20 V).
CHT-Neptune peut être utilisé en conjonction avec les pilotes de grille CHT-Themis et Atlas de la société. Par quantité de 51 à 200 pièces, son prix unitaire est de 287,38 euros.

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