Le fabricant américain d’équipements à destination du solaire et des LED travaille à la mise au point d’un matériel de production de couches de nitrure de gallium sur substrat de saphir dont l’utilisation permettra d’abaisser le coût des LED. Cet équipement inclut des innovations technologiques en provenance de Soitec.

GT Advanced Technologies (955 millions de dollars de chiffre d’affaires 2012), fabricant américain d’équipements de production à destination du photovoltaïque et des LED, et Soitec, premier fabricant mondial de tranches de silicium sur isolant (SOI) et spécialiste des systèmes solaires à concentration (CPV), viennent de signer un accord de développement et de licence dont l’objectif est la mise au point et la commercialisation d’un équipement de production à moindre coût de couches de nitrure de gallium (GaN) sur substrat saphir; ces couches de GaN servent dans la fabrication des LED.

La machine en question est un matériel d’épitaxie en phase vapeur HVPE (Hybride Vapour Phase Epitaxy) incorporant des éléments technologiques mis au point par Soitec.
Son utilisation devrait permettre d’augmenter la croissance du matériau ainsi que d’en améliorer les propriétés, notamment par rapport à l’utilisation de la déposition traditionnelle MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition, pour déposition chimique d’organométalliques en phase vapeur).
In fine, l’utilisation de la machine GT Advanced devrait se traduire par une diminution des coûts de fabrication des LED.
L’équipement devrait être commercialisé par GT Advanced Technologies au deuxième semestre 2014.