Sumitomo fabriquera industriellement des tranches de GaN à partir du procédé mis au point par Soitec. Cet accord intervient dans le cadre d’un partenariat initié en décembre 2010.

Soitec, premier fabricant mondial de tranches de silicium sur isolant (SOI), et Sumitomo Electric, fournisseur de semi-conducteurs composés, annoncent un accord de licence et de transfert de technologie par lequel Sumitomo pourra utiliser la technologie Smart Cut de transfert de couches, développée par Soitec, pour fabriquer industriellement et de manière économique des plaques de substrats en nitrure de gallium (GaN).
Ces substrats servent en particulier pour la fabrication des LED.
Cet accord intervient dans le cadre d’un partenariat initié en décembre 2010.

Rappelons que la technologie Smart Cut appliquée au GaN permet de transférer sur un support standard des couches très minces de nitrure de gallium prélevées sur une tranche de GaN normale.
Les substrats résultant de ce transfert présentent une qualité cristalline identique à celle de la tranche de GaN initiale.