Le fabricant amorce la pré-production de circuits numériques basés sur une technologie silicium sur isolant totalement déplétée dans ses lignes de fabrication sur tranches de 300 mm.

La technologie FD-SOI 28 nm de STMicroelectronics est désormais disponible en pré-production dans l’usine de Crolles (Isère) du fabricant, pour fabrication sur tranches de 300 mm. Cette technologie silicium sur isolant totalement déplétée est notamment destinée aux processeurs embarqués et aux décodeurs audio-vidéo de ST.

“Les mesures réalisées sur des sous-systèmes multi-coeurs dans une plateforme ModAp de ST-Ericsson, avec une fréquence maximale dépassant 2,5 GHz et atteignant 800 MHz sous 0,6 V, démontrent la grande flexibilité de cette technologie et la plage de tension étendue exploitable grâce à la technique de mise à l’échelle dynamique de la tension et/ou de la fréquence” explique Jean-Marc Chery, vice-président exécutif de ST chargé de la technologie et de la production.

Le fabricant met également en avant le transfert simplifié des blocs de propriété intellectuelle existants vers cette technologie planaire, par rapport à une technologie tridimensionnelle de type FinFET telle que celle utilisée par Intel en 20 nm – et qui reste d’ailleurs la solution préférentielle sous la barre des 20 nm, y compris chez ST.