Les IGBT 1200 V de ON Semiconductor ciblent un large spectre d’applications

Le 25/10/2012 à 23:49 par Philippe Dumoulin

L’américain introduit une série de neuf IGBT à grille verticale pour différents marchés : la commande moteur, le solaire, les alimentations UPS, notamment. Pas moins de neuf références viennent compléter la famille NGTBxx d’IGBT de ON Semiconductor.
Adoptant une structure NPT en tranchée avec technologie FS (Field stop, à champ limité), ces IGBT affichent une tenue en tension de 1200 V.

Ainsi, les 40N120FLWG (40 A à 100 °C), NGTB25N120FLWG (25 A) et NGTB15N120FLWG (15 A) délivrent des performances supérieures dans les applications de commutation haute fréquence (10 kHz à 40 kHz).
Avec de faibles pertes de commutation et leur diode à recouvrement ultra-rapide, ils sont destinés aux onduleurs solaires, aux alimentations secourues (UPS) et aux postes de soudage.

Pour leur part, les NGTB30N120LWG (30 A) et NGTB40N120LWG (40 A) offrent un faible VCEsat et une robustesse accrue vis-à-vis des courts-circuits. Ils sont conçus pour les applications de commutation dure en basse fréquence (2 kHz à 20 kHz). Cela concerne essentiellement la commande moteur.
Enfin, les NGTB30N120IHLWG (30 A), NGTB40N120IHLWG (40 A), NGTB20N120IHSWG (20 A) et NGTB30N120IHSWG (30 A) présentent des pertes équilibrées en régimes de conduction et de commutation. Le chauffage par induction et autres applications de commutation douce entre 15 kHz et 30 kHz sont ici visés.
Tous ces IGBT sont proposés en boitiers TO-247. Par quantité de 10 000 pièces, les prix unitaires s’échelonnent entre 1,6 $ (NGTB20N120IHSWG) et 4 $ (NGTB40N120FLWG).

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