Basé sur des transistors tridimensionnels FinFET, le process 14nm-XM permet de minimiser de 40 à 60% la consommation des téléphones mobiles utilisant des circuits fabriqués avec cette technologie par rapport à la consommation de téléphones utilisant des circuits produits à partir du process 20 nm du fondeur de silicium.

Le fondeur de silicium Globalfoundries présente un process 14 nm baptisé 14nm-XM dédié aux circuits intégrés des matériels mobiles (téléphones…) – notamment les systèmes sur une puce (SoC).
Globalfoundries estime que ce process permet de minimiser de 40 à 60 % la consommation des téléphones mobiles utilisant des circuits fabriqués avec cette technologie par rapport à la consommation de téléphones utilisant des circuits produits à partir de son process 20 nm (20nm-LPM).

Dans la pratique, ce process est basé sur le transistor tridimensionnel FinFET et reprend des éléments du process 20nm-LPM.
La société annonce que des circuits de test 14nm-XM sont déjà produits dans sa Fab 8 de Saratoga (Etat de New York, Etats-Unis), et que des kits de conception sont disponibles.