Ce nouvel accord prévoit notamment que le californien vende sa technologie GaN-on-Si au japonais. Déjà partenaires depuis plus d’un an dans le cadre d’un accord technologique visant à développer des LED en nitrure de gallium sur substrat de silicium (GaN-on-Si) à partir de tranches de 8 pouces de diamètre, Bridgelux et Toshiba ont récemment signé un nouvel accord afin de renforcer leur partenariat. Selon les termes de l’accord, le californien va vendre sa technologie GaN sur silicium au japonais et les deux sociétés vont étendre leur collaboration à des accords de licences et de production.

La coopération entre les deux partenaires est décidément très fructueuse puisqu’elle a déjà mené il y a quelques mois, à la surprise générale, au lancement par Toshiba de la production de premières LED blanches de puissance à base de GaN sur substrat de silicium (photo).